BSM120C12P2C201 - 技術資料
ローム製SiC-DMOSFETとSiCショットキーバリアダイオードを用いたチョッパ構成のSiC MOSFETモジュールです。
×
ホワイトペーパー
|
SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
|
|
近年、自動車や産業機器分野で進むアプリケーションの電子化にともない、電子回路が担う役割と回路数は膨大に増加しており、部品選定から基板設計、評価に至るまで、回路設計時に膨大な工数を費やしていることが課題となっている。このドキュメントでは、電子回路設計にシミュレーションを活用し、ユーザーの各開発フローで生じる課題解決に貢献するロームのソリューションについて説明する。
|
|
採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
|
|
画期的な特性を有したSiC（シリコンカーバイド）半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。
|
ユーザーズガイド
|
C-typeケース型 フルSiCモジュール用評価ボード
|
|
このドキュメントは、C タイプのケース型フルSiC モジュール用評価ボード（BSMGD3C12D24-EVK001)とその機能を記載しています。
|
アプリケーションノート
|
スイッチング回路の電力損失計算
|
|
SiC MOSFETを用いたスイッチング回路における、SiC MOSFETのスイッチング動作時に発生する電力損失の計算方法を記載しています。
|
|
熱電対を用いた温度測定における注意点
|
|
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
|
|
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
|
|
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
|
|
熱モデルとは（SiCパワーデバイス）
|
|
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
|
|
アクティブミラークランプによる誤点弧対策
|
|
本アプリケーションノートではスイッチング速度が速くなることで起こる誤点弧についての対策と効果を紹介します。
|
|
熱モデルの使い方
|
|
このアプリケーションノートは、熱モデルの入手方法と使い方、熱モデルを用いたシミュレーション方法について記しています。
|
|
最適な放熱効果を与えるモジュールの組み付け方法
|
|
本アプリケーションノートは、信頼性や駆動条件に最適な放熱効果を与えるモジュールの組付け方法を紹介します。
|
|
スイッチング波形のモニタ方法
|
|
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
|
|
熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
|
|
ディスクリート半導体デバイスのジャンクションからケースへの熱抵抗を測定する方法と、その使い方について説明しています。
|
|
SiC パワーデバイス・モジュール
|
|
|
|
パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
|
|
測定に使用する機材は定期的に校正していても、測定環境に対して校正を怠ると誤った結果が得られます。このアプリケーションノートではパワー測定環境でプローブ校正の重要性について説明しています。
|
|
バイパスコンデンサのインピーダンス特性
|
|
このアプリケーションノートではコンデンサのインピーダンス特性にフォーカスし、バイパスコンデンサ選択時の注意点について説明しています。
|
|
熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
|
|
実動作時に半導体チップのジャンクション温度を求めるために熱電対を使ってパッケージ裏面の温度を測定するときの注意点を記載しています。
|