BSM120C12P2C201 - 技術資料

ローム製SiC-DMOSFETとSiCショットキーバリアダイオードを用いたチョッパ構成のSiC MOSFETモジュールです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

ユーザーズガイド

C-typeケース型 フルSiCモジュール用評価ボード
 
このドキュメントは、C タイプのケース型フルSiC モジュール用評価ボード(BSMGD3C12D24-EVK001)とその機能を記載しています。

アプリケーションノート

熱電対を用いた温度測定における注意点
 
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
 
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
熱モデルの使い方
 
このアプリケーションノートは、熱モデルの入手方法と使い方、熱モデルを用いたシミュレーション方法について記しています。
最適な放熱効果を与えるモジュールの組み付け方法
 
本アプリケーションノートは、信頼性や駆動条件に最適な放熱効果を与えるモジュールの組付け方法を紹介します。
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
SiC パワーデバイス・モジュール