SiC パワーモジュール - BSM120C12P2C201 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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SiC パワーモジュール - BSM120C12P2C201
ローム製SiC-DMOSFETとSiCショットキーバリアダイオードを用いたチョッパ構成のSiC MOSFETモジュールです。
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特性:
VDS [V]
1200
ID [A]
134.0
PD [W]
935
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲(Min.)[°C]
-40
保存温度範囲(Max.)[°C]
125
内部回路
Chopper
特長:
- 低サージ・低損失
- 高速スイッチング
- 特性の温度依存性が低い
