SCT3060ALHR - 技術資料

SCT3060ALHRは650V 39AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。

ホワイトペーパー

SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
 
近年、自動車や産業機器分野で進むアプリケーションの電子化にともない、電子回路が担う役割と回路数は膨大に増加しており、部品選定から基板設計、評価に至るまで、回路設計時に膨大な工数を費やしていることが課題となっている。このドキュメントでは、電子回路設計にシミュレーションを活用し、ユーザーの各開発フローで生じる課題解決に貢献するロームのソリューションについて説明する。
採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。
LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
 
Leadrive Technology Co., Ltd. is a high-tech company focusing on R&D, manufacturing and sales of new electric vehicles powertrain and power semiconductor modules. This paper will introduce the design, testing and system evaluation of SiC power modules, which were all performed by Leadrive.
Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments
 
With the packaging innovation of adding a separate driver source pin and isolated gate driver ICs for driving the SiC MOSFET gates,  designers can take full advantage of the SiC MOSFET benefits in their designs.

アプリケーションノート

形名の構成
 
For SiC MOSFET
測定波形から電力損失を求める方法
 
このアプリケーションノートでは、SiC MOSFET を用いたスイッチング回路において、測定されたスイッチング波形からSiC MOSFET の電力損失を求める方法について記載しています。
スイッチング回路の電力損失計算
 
SiC MOSFETを用いたスイッチング回路における、SiC MOSFETのスイッチング動作時に発生する電力損失の計算方法を記載しています。
熱電対を用いた温度測定における注意点
 
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱シミュレーション用 2抵抗モデル
 
熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな2抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは3次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
 
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
熱モデルの使い方
 
このアプリケーションノートは、熱モデルの入手方法と使い方、熱モデルを用いたシミュレーション方法について記しています。
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
 
SiC MOSFETはスイッチング時の電圧や電流の変化が非常に大きいために、ゲートソース間に発生するサージを正確に測定する必要があります。このアプリケーションノートでは、SiC MOSFETのゲートソース間電圧測定の測定方法、プローブの取り付け方、測定箇所の選定、プローブヘッド部の設置場所、ブリッジ構成における注意点を記しています。
SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
 
SiC-MOSFETのゲートーソース間に発生するサージの発生原因を明確にしながら、最適な対策方法を説明
SiC パワーデバイス・モジュール
 
熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
 
ディスクリート半導体デバイスのジャンクションからケースへの熱抵抗を測定する方法と、その使い方について説明しています。
ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
 
このアプリケーションノートはMOSFETブリッジ構成における各MOSFETのゲート―ソース間電圧に着目し、最も簡単な同期方式boost回路を例にして、スイッチング動作を詳細に理解することを目的とします。
パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
 
測定に使用する機材は定期的に校正していても、測定環境に対して校正を怠ると誤った結果が得られます。このアプリケーションノートではパワー測定環境でプローブ校正の重要性について説明しています。
バイパスコンデンサのインピーダンス特性
 
このアプリケーションノートではコンデンサのインピーダンス特性にフォーカスし、バイパスコンデンサ選択時の注意点について説明しています。
熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
 
実動作時に半導体チップのジャンクション温度を求めるために熱電対を使ってパッケージ裏面の温度を測定するときの注意点を記載しています。