1200V, 95A, THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET - SCT3022KL

SCT3022KLは1200V 95AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

デザインモデル

SPICE Simulation Evaluation Circuit
 
SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ
SPICEモデル
 
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熱計算モデル
 
SCT3022KLの熱計算モデルをダウンロード
PathWave ADSモデル
 
Keysight社のPathWave ADS (Advanced Design System)用のモデルです。ご使用いただくにはKeysight Technologies, Inc. 回路シミュレータADSが必要です。

特性データ

ESD Data
 
For SCT3022KL