N-channel Silicon Carbide Power MOSFET - SCT3022KL

SCT3022KLは1200V 95AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
 
このアプリケーションノートはMOSFETブリッジ構成における各MOSFETのゲート―ソース間電圧に着目し、最も簡単な同期方式boost回路を例にして、スイッチング動作を詳細に理解することを目的とします。
SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
 
SiC-MOSFETのゲートーソース間に発生するサージの発生原因を明確にしながら、最適な対策方法を説明
SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
SiC パワーデバイス・モジュール
 
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
形名の構成
 
For SiC MOSFET

デザインモデル

SPICE Simulation Evaluation Circuit
 
SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ
SPICEモデル
 
SCT3022KLのSPICEモデルをダウンロード
熱計算モデル
 
SCT3022KLの熱計算モデルをダウンロード
PathWave ADSモデル
 
Keysight社のPathWave ADS (Advanced Design System)用のモデルです。ご使用いただくにはKeysight Technologies, Inc. 回路シミュレータADSが必要です。

基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For SiC TO-247N package
内部構造図
 
For SCT3022KL
包装仕様
 
For TO-247N package
標印仕様説明
 
For TO-247N package
耐湿レベルについて
 
For SiC
耐ウィスカ性能について
 
For SiC
はんだ付け条件
 
For THD SiC

環境データ

構成物質一覧表
 
For SCT3022KL
UL難燃性について
 
For SiC
ELV指令適合証明書
 
For SiC
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For SiC

信頼性情報

信頼性試験結果
 
For SCT3022KL

製品個別データ

ESD Data
 
For SCT3022KL

輸出関連情報

米国輸出規制 (EAR) について
 
For SiC