自動車向け Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET - SCT3017ALHR (新製品)

SCT3017ALHRは650V 118AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。AEC-Q101に準拠した高信頼性の車載グレード製品です。

技術資料

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
 
SiC MOSFETはスイッチング時の電圧や電流の変化が非常に大きいために、ゲートソース間に発生するサージを正確に測定する必要があります。このアプリケーションノートでは、SiC MOSFETのゲートソース間電圧測定の測定方法、プローブの取り付け方、測定箇所の選定、プローブヘッド部の設置場所、ブリッジ構成における注意点を記しています。
SiC パワーデバイス・モジュール
 
ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
 
このアプリケーションノートはMOSFETブリッジ構成における各MOSFETのゲート―ソース間電圧に着目し、最も簡単な同期方式boost回路を例にして、スイッチング動作を詳細に理解することを目的とします。
SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
 
SiC-MOSFETのゲートーソース間に発生するサージの発生原因を明確にしながら、最適な対策方法を説明
SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
形名の構成
 
For SiC MOSFET

デザインモデル

SPICE Simulation Evaluation Circuit
 
SPICEモデルを使用した素子評価用の回路データ
SPICEモデル
 
SCT3017ALHRのSPICEモデルをダウンロード
熱計算モデル
 
SCT3017ALHRの熱計算モデルをダウンロード

基礎情報(環境データなど) Batch Download 

パッケージ情報

外形寸法図
 
For SiC TO-247N package
耐湿レベルについて
 
For SiC
耐ウィスカ性能について
 
For SiC

環境データ

UL難燃性について
 
For SiC
ELV指令適合証明書
 
For SiC
REACH規制-高懸念物質非含有について
 
For SiC

輸出関連情報

米国輸出規制 (EAR) について
 
For SiC