N-channel SiC パワーMOSFET Bare die - S4101

S4101はSiC(シリコンカーバイド)によるトレンチタイプMOSFETです。高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
Bare Dieの販売については弊社営業まで仕様等お問合わせ下さい。現在のところ、ネット販売及びネット商社での販売はしておりません。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

技術資料

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
SiC パワーデバイス・モジュール
 
NE ハンドブックシリーズ
 
パワー半導体
形名の構成
 
For SiC MOSFET Bare Die

デザインモデル

SPICEモデル
 
S4101のSPICEモデルをダウンロード