BD3533F
3A 可変出力 DDR-SDRAM用 ターミネーション用 リニア電源

BD3533Fは、JEDEC準拠のDDR-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。また、DDR-SDRAM、メモリーコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | BD3533F-E2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SOP8
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

ch

1

Vin(Min.)[V]

2.7

Vin(Max.)[V]

5.5

Vout (Typ)[V]

0.75 to 1.25

Iout(Max.)[A]

3.0

Circuit Current[mA]

2.0

Thermal Shut-down

Yes

Under Voltage Lock Out

Yes

動作温度範囲(Min.)[℃]

-20

動作温度範囲(Max.)[℃]

100

パッケージサイズ [mm]

5x6.2 (t=1.71)

特長:

· ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)
· 基準電圧回路内蔵(VREF)
· イネイブル機能内蔵
· 低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)
· 過熱保護回路内蔵(TSD)
· Dual Channel 対応(DDR-2)

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • リニアレギュレータの基礎
  • リニアレギュレータのスペック
  • リニアレギュレータの逆電圧保護
  • リニアレギュレータの電源 オン/オフ特性
  • リニアレギュレータの簡易的な安定性実験
  • LDO の並列接続
  • 電源が起動しないトラブル事例
  • 汎用電源ICによる電源シーケンス回路
  • リニアレギュレータやローパスフィルタを用いたスイッチングノイズ抑圧方法
  • 周波数特性分析器(FRA)による位相余裕測定方法
  • BAxxCC0 シリーズの出力セラミックコンデンサを使用した回路
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱設計とは
  • 熱抵抗と放熱の基本
  • 過渡熱抵抗データからジャンクション温度を求める方法
  • リニアレギュレータの熱計算
  • パッケージの熱抵抗、熱特性パラメータについて

モデルとツール

2D/3D/CAD

  • SOP8 Footprint / Symbol
  • SOP8 3D STEP Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

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製造データ

  • 製造工場一覧

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輸出関連情報

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