RV3C002UN - 技術資料

超小型パッケージ(0604サイズ)のRV3C002UNは、ポータブルデバイス用途に最適です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

アプリケーションノート

熱電対を用いた温度測定における注意点
 
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱シミュレーション用 2抵抗モデル
 
熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな2抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは3次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
 
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱モデルとは(トランジスタ)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
 
MOSFET の仕様書に記載している許容損失と熱抵抗について
MOSFETの仕様書に記載している用語説明
 
MOSFETの仕様書に記載している用語に関する定義・説明
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
MOSFET の破壊メカニズムについて
 
仕様書に記載している電気的要因、熱的要因が原因の、MOSFETが破壊するメカニズムについて説明
形名の構成
 
For Transistors