RJ1L12DGN
Nch 60V 120A パワーMOSFET

RJ1L12DGNは面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途向けパワーMOSFETです。

データシート 在庫確認
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
データシート 在庫確認

主な仕様

 
形名 | RJ1L12DGNTLL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263AB (LPTL)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

TO-263AB

パッケージサイズ[mm]

10.1x15.1 (t=4.7)

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

60

ドレイン電流 (直流) ID [A]

120.0

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.0051

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0039

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0051

ゲート総電荷量 Qg [nC]

47.0

許容損失 PD [W]

125.0

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K4823

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • アバランシェ耐量試験済
  • ハロゲンフリー

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • RJ1L12DGN SPICE Model

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について