新規設計非推奨 R6012ANJ
10V駆動タイプ Nch MOSFET

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

主な仕様

 

R6012ANJ の代替品

Part Number
R6012ANJ
R6012ANJ
R6015ENJ
R6015ENJ
Ordering Part Number R6012ANJTL R6015ENJTL
Similar Level - ピン配置・パッケージ同等
Data Sheet    
Supply Status Not Recommended for New Designs Recommended
Package LPTS (D2PAK) LPTS (D2PAK)
Unit Quantity 1000 1000
Minimum Packing Quantity 1000 1000
Packing Type Taping Taping
RoHS Yes Yes
Package Code TO-263 (D2PAK) TO-263 (D2PAK)
Grade Standard Standard
Number of terminal 3 3
Polarity Nch Nch
Drain-Source Voltage VDSS [V] 600 600
Drain Current ID [A] 12.0 15.0
RDS(on)[O] VGS=10V (Typ.) 0.32 0.26
RDS(on)[O] VGS=Drive (Typ.) 0.32 0.26
Drive Voltage [V] 10.0 10.0
Power Dissipation (PD) [W] 100.0 40.0
Total gate charge Qg [nC] 35.0 40.0
Trr (Typ.)[ns] - 480
Mounting Style Surface mount Surface mount
Applications - Power Supply
Bare Die P/N - Available: K7408
Package Size [mm] 10.1x13.1 (t=4.5) 10.1x13.1 (t=4.5)
JEITA Package SC-83 SC-83
Storage Temperature (Min.)[°C] -55 -55
Storage Temperature (Min.)[°C] 150 150

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • R6012ANJ SPICE Model
  • R6012ANJ Thermal Model (lib)

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について