10V駆動タイプ Nch MOSFET - R6024ENX
電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-220FM
パッケージサイズ[mm]
15.1x10.1 (t=4.6)
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
600
ドレイン電流 (直流) ID [A]
24.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.15
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.15
ゲート総電荷量 Qg [nC]
70.0
許容損失 PD [W]
40.0
駆動電圧 [V]
10.0
実装方式
Leaded type
Bare Die/Wafer 品番
Available: K7402
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
・ Low on-resistance.・ Fast switching speed.
・ Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±20V.
・ Drive circuits can be simple.
・ Parallel use is easy.
・ Pb-free lead plating ; RoHS compliant