R6009ENX - パッケージと品質データ

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

パッケージ情報

外形寸法図
 
For TO220FM package
内部構造図
 
For R6009ENX
標印仕様説明
 
For TO220FM package
耐湿レベルについて
 
For Transistors
耐ウィスカ性能について
 
For Transistors

環境データ

構成物質一覧表
 
For R6009ENX
UL難燃性について
 
For Transistors
REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
 
RoHS/ELV指令適合証明書
 
For Transistors

輸出関連情報

輸出貿易管理令について
 
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