アプリケーションノート
- BR25H-2C vs BR25H-W(C)/BR35H-WC 相違点について
BR25H040FVT-2C
主な仕様
形名 | BR25H040FVT-2CE2
供給状況 |
推奨品
パッケージ |
TSSOP-B8
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS |
Yes
Functional Safety | FS supportive
特性:
シリーズ
BR25H-2C
グレード
Automotive
I/F
SPI BUS
容量 [bit]
4k
ビット構成 [Word x Bit]
512 x 8
パッケージ
TSSOP-B8
動作温度範囲(Min.)[℃]
-40
動作温度範囲(Max.)[℃]
125
Vcc(Min.)[V]
2.5
Vcc(Max.)[V]
5.5
動作時回路電流 (Max.)[mA]
4.0
待機時回路電流 (Max.)[μA]
10.0
書き込みサイクル時間 (Max.)[ms]
4.0
入力周波数 (Max.)[Hz]
10M
書き換え回数 (Max.)[Cycle]
106
データ保持 (Max.)[Year]
100
特長:
・ 最高速 10MHz(Max.)のクロック動作・ HOLDB 端子によるウェイト機能
・ プログラムによってメモリアレイの一部～全部を書き 換え禁止(ROM)領域に設定可能
・ 2.5V～5.5V 単一動作でバッテリーユースにも最適
・ 工場出荷時の初期値書き込みに有利なページライト モード
・ SPI バスインタフェース(CPOL,CPHA)=(0,0)、(1,1)に 対応
・ データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
・ 低消費電流 ライト動作時(5V 時) : 1.0mA (Typ.) リード動作時(5V 時) : 1.0mA (Typ.) 待機時(5V 時) : 0.1μA (Typ.)
・ 読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
・ 誤書き込み防止機能 電源投入時の書き込み禁止 命令コード(WRDI)による書き込み禁止 WPB ピンによる書き込み禁止 ステータスレジスタ(BP1,BP0)による 書き込み禁止ブロックの設定 低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵
・ MSOP8, TSSOP-B8, SOP8, SOP-J8 パッケージ
・ 出荷時データ メモリアレイ：FFh, ステータス レジスタ BP1, BP0 : 0
・ 100 年間のデータ保持が可能
・ 100 万回のデータ書き換えが可能
・ AEC-Q100 対応
デザインリソース
ドキュメント
アプリケーションノート
- BR25H-2C vs BR25H-W(C)/BR35H-WC 相違点について
技術記事
回路設計・検証
- SPI BUS EEPROM のオペコード, アドレス, ページ構成について
- バイパスコンデンサのインピーダンス特性
熱設計
- パッケージの熱抵抗、熱特性パラメータについて
モデルとツール
シミュレーション（ログイン必要）
- 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)
2D/3D/CAD
- TSSOP-B8 Footprint / Symbol
パッケージと品質データ
パッケージ情報
- 実装仕様書
- 耐ウィスカ性能について
製造データ
- 製造工場一覧
環境データ
- UL94 難燃性クラスについて
- ELV指令適合証明書
- REACH高懸念物質（SVHC）の不使用証明書
- RoHS委員会委任指令適合証明書
輸出関連情報
- 輸出貿易管理令について
- 米国輸出規制 (EAR) について