業界トップクラスの低オン抵抗を実現した最新世代デュアルMOSFETを開発

特長
ラインアップ
購入

2021年7月1日
※2021年7月1日現在　ローム調べ

＜要旨＞

ローム株式会社（本社：京都市）は、FA機器などの産業機器や、基地局（冷却用ファン）に搭載されるモータの駆動に最適で24V入力に対応した、±40V/±60V耐圧のMOSFET^*1が2つ入ったデュアル品「QH8Mx5/SH8Mx5シリーズ（Nch+Pch^*2）」を開発しました。
本製品は、ローム最新プロセスを採用することで業界トップクラスの低オン抵抗を実現し、±40V耐圧品で一般品に比べて61％の低減（デュアル品Pch部分の比較）を達成。各種機器の低消費電力化に大きく貢献します。また、2つのデバイスを1パッケージ化したことで、実装面積削減による機器の小型化と、デバイス選定（NchとPchの組み合わせ）における工数削減にも寄与します。
なお、本製品は、2021年3月から当面月産100万個の体制で量産（サンプル価格250円/個：税抜）を開始しています。なお、新製品のインターネット販売も開始しており、コアスタッフオンライン、チップワンストップから購入することができます。

ニュースリリース製品紹介資料（2.99MB）

＜背景＞

近年、産業機器や基地局向けモータに使用される24V入力に対応するために、駆動用デバイスであるMOSFETには、電圧変動マージンも考慮した40V、60V耐圧が要求されています。また、モータのさらなる高効率化・小型化に向けて、MOSFETには低オン抵抗化と高速スイッチング動作への期待もよせられています。
こうした中、ロームは昨年末に発表した最新世代のPch MOSFET^*2に続き、今回新たにNchにおいて最新微細プロセスを採用した第6世代の40V、60V耐圧MOSFETを開発。その組み合わせにより、24V入力に必要な±40V/±60V耐圧では業界トップクラスのNch+PchデュアルMOSFETを揃えることができました。また、幅広いニーズに応えるため、+40V/+60V耐圧「QH8Kxx/SH8Kxxシリーズ（Nch+Nch）」も開発し、計12製品ラインアップしました。

±40V品Nch+PchデュアルMOSFET一般品と新製品置き換え時のオン抵抗値比較

今後、ロームは本シリーズのラインアップ拡充として、より高い耐圧が求められる産業機器向けに100V、150V耐圧品の開発も進めており、幅広いアプリケーションの低消費電力化と小型化に寄与することで、環境保護などの社会課題解決に貢献していきます。

＜新製品の特長＞

1.業界トップクラスの低オン抵抗を実現

最新プロセスを採用し、±40V耐圧品で一般品に比べて、Pch部分は最大61％、Nch部分は最大39％のオン抵抗低減を実現した業界トップクラスのデュアルMOSFETを開発。各種機器の低消費電力化に貢献します。

2.デュアル製品ならではの特長で機器の小型化と設計工数削減に貢献

2つのデバイスを1つのパッケージに搭載したことで、機器の小型化とデバイス選定における設計工数削減に寄与します。小型化においては、Nch+Pchデュアル従来品（SOP8）を同新製品（TSMT8）に置き換えた場合、実装面積を75％削減可能となります。

置き換え例

＜プリドライバICとの組み合わせにより、最適なモータ駆動ソリューションを提供＞

本製品は、豊富な採用実績を誇るロームの単相/三相ブラシレスモータ向けプリドライバICとの組み合わせにより、さらなるモータの小型化、低消費電力、静音ドライブの検討が可能となります。デュアルMOSFETシリーズとプリドライバICを組み合わせた周辺回路設計のトータルサポートを行い、お客様のニーズに応じた最適なモータ駆動ソリューションを提供します。

組み合わせ例

■QH8MC5（±60V耐圧Nch+PchデュアルMOSFET）とBD63001AMUV（三相ブラシレスモータプリドライバIC）
■SH8KB6（+40V耐圧Nch+NchデュアルMOSFET）とBM62300MUV（三相ブラシレスモータプリドライバIC）
■SH8KB6（+40V耐圧Nch+NchデュアルMOSFET）とBD63002AMUV（三相ブラシレスモータプリドライバIC）など

＜製品ラインアップ＞

Nch+PchデュアルMOSFET

品名	極性 (ch)	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D (W)	Ron Max(mΩ) *V_GS=10V	データシート	Spice Model	パッケージ名
SH8MB5	N+P	40	8.5	2	19.4	✓	✓	SOP8 (6.0mm×5.0mm×1.75mm)
SH8MB5		-40	-8.5		16.8	✓	✓
SH8MC5		60	6.5		32	✓	✓
SH8MC5		-60	-7		33	✓	✓
QH8MB5		40	4.5	1.5	44	✓	✓	TSMT8 (2.8mm×3.0mm×0.8mm)
QH8MB5		-40	-5		41	✓	✓
QH8MC5		60	3		90	✓	✓
QH8MC5		-60	-3.5		91	✓	✓

Nch+NchデュアルMOSFET

品名	極性 (ch)	V_DSS (V)	I_D (A)	P_D (W)	Ron Max(mΩ) *V_GS=10V	データシート	Spice Model	パッケージ名
SH8KB7	N+N	40	13.5	2	8.4	✓	✓	SOP8 (6.0mm×5.0mm×1.75mm)
SH8KB7			13.5		8.4	✓	✓
SH8KB6			8.5		19.4	✓	✓
SH8KB6			8.5		19.4	✓	✓
SH8KC7		60	10.5		12.4	✓	✓
SH8KC7			10.5		12.4	✓	✓
SH8KC6			6.5		32	✓	✓
SH8KC6			6.5		32	✓	✓
QH8KB6		40	8	1.5	17.7	✓	✓	TSMT8 (2.8mm×3.0mm×0.8mm)
QH8KB6			8		17.7	✓	✓
QH8KB5			4.5		44	✓	✓
QH8KB5			4.5		44	✓	✓
QH8KC6		60	5.5		30	✓	✓
QH8KC6			5.5		30	✓	✓
QH8KC5			3		90	✓	✓
QH8KC5			3		90	✓	✓

1個から購入可能

＜アプリケーション例＞

■FA機器、ロボットなどの産業機器や基地局向けFANモータ
■大型民生機器向けFANモータ

＜用語説明＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistorの略）: 金属－酸化物－半導体電界効果トランジスタのことで、FETの中では最も一般的に使用されている構造である。
スイッチング素子として使われる。
*2) Pch MOSFET / Nch MOSFET: Pch MOSFET：ソースに対してマイナスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。
入力電圧より低い電圧で駆動できるため、容易な回路構成が可能。
Nch MOSFET：ソースに対してプラスの電圧をゲートに印加すると導通状態になるタイプのMOSFET。
Pch MOSFETよりもドレイン－ソース間オン抵抗が小さくなるため、定常損失を減らすことが可能。
*3) オン抵抗: MOSFETを動作（オン）させた時のドレイン・ソース間の抵抗値のこと。値が小さいほど、動作時のロス（電力の損失）が少なくなる。

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産業機器や基地局のモータ駆動に最適な40Vと60V耐圧の12製品をラインアップ

＜要旨＞

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