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SiCパワーデバイスとは？
SiCパワーデバイスとは？
- SiC半導体
SiCはシリコン(Si)と炭素(C)で構成される化合物半導体材料です。絶縁破壊電界強度がSiの10倍、バンドギャップが3倍と優れており、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待されています。 - SiC SBD
SiCでは高速なデバイス構造であるSBD（ショットキーバリアダイオード）構造で600V以上の高耐圧ダイオードが実現可能です。このためFRD（ファーストリカバリーダイオード）から置き換えることにより、リカバリ損失を大幅に削減できます。 - SiC-MOSFET
SiCはドリフト層の抵抗がSiデバイスよりも低いため、高速なデバイス構造であるMOSFETで高耐圧と低抵抗を両立できます。 - SiCパワーモジュール
SiC-MOSFETとSiC-SBDを搭載したSiCパワーモジュールは、IGBTのテイル電流とFRDのリカバリ電流に起因して生じていたスイッチング損失を大幅に削減します。
