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SiC特設 SiC-SBD

ROHM SiC Schottky Barrier Diode

高耐圧・大電流回路に最適なSiC (シリコンカーバイド) 材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。
高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。

特長

  • リカバリー時間が短い
  • 高速スイッチングが可能
  • 特性の温度依存性が少ない
  • 低VF (第2世代SBD)

主要定格

定格電圧 定格電流
650V 6A~100A*
1200V 5A~50A
1700V* 10A~50A

スイッチング損失を大幅に低減

Siでは実現できなかった極小の逆回復時間 (trr) により、高速スイッチングが可能になります。
逆回復電荷量 (Qrr) が小さいため、スイッチング損失を低減でき、機器の小型化に貢献します。

スイッチング波形

また、Siファストリカバリダイオードのtrrは温度上昇に従って増大するのに対し、SiCではほぼ一定の特性を維持することができます。
高温動作時もスイッチング損失が損なうことなく、駆動させることが可能です。

trr温度特性

ロームはデバイスプロセスの改善を継続し、世代変化に伴い低VFを実施しております。

  • ■世代進化とともに低VF化を実現

    Achieves lower VF along with generational evolution
  • ■低VF・高サージ電流耐量

    Low VF and high surge resistance

安定した温度特性を実現

温度に対する特性の変動がSiに比べ小さいため、安定した特性で使用できます。
また、Siのファストリカバリーダイオードとは逆で、順方向電圧が正の温度係数であるため、素子の並列接続が容易になります。
並列接続時の熱暴走の防止に貢献します。 さらに、第二世代SBDではプロセスを工夫することにより、リーク電流やリカバリ性能を従来品と同等に保ちながら立ち上がり電圧を約0.15V低減することに成功しています。

trr温度特性

用途

  • スイッチング電源
  • PFC (Power Factor Correction) 回路
  • Power conditioners used in photovoltaic power generation
  • EV/HEVのインバーターやチャージャ
  • モータ駆動回路

■ [例] PFC 回路

PFC 回路

■ [例]車載用充電回路

PFC 回路

高品質・安定供給を約束する垂直統合生産体制

「品質を第一とする」を企業目的に掲げるロームでは、SiC生産においても垂直統合生産体制を確立しています。2009年にはドイツのSiCrystal社をグループ企業に加え、ウエハからパッケージの製造まで全てのプロセスで品質を高める活動を行っています。世界に通用する製造技術力、安定した生産力に加え、コスト競争力を高め、さらなる新製品の長期安定供給につとめていきます。

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