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研究開発センター長 IEEEシニアメンバーに昇格

IEEE

IEEEとは

IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineer)は、アメリカに本部をおく、電気・情報工学分野における世界最大規模の学術研究団体および技術標準化機関です。
世界160ヵ国以上、40万人を超える会員は、分野ごとに39の分科会に分かれ、論文誌の出版や国際会議の開催、標準規格の策定、会員のコミュニケーション支援などを行っています。1963年の設立当初は、電気・電子、通信、半導体などの分野を中心に活動していましたが、近年ではロボティクス・自動化や車両技術などの周辺領域にも広がっています。

シニアメンバーとは

シニアメンバーは、全会員の10%程度しか保有していない、IEEE会員の中でも最高レベルのグレードです。
昇格には、「IEEE関連分野の技術者・科学者・教育者・技術管理者で、少なくとも10年間専門的業務に携わっており、 そのうち5年間にわたり重要な業績を挙げている者」という条件を満たし、加えてフェローメンバー、シニアメンバー、オナラリーメンバーのいずれかの資格をもつ3名からの推薦が必要です。
シニアメンバーへの昇格はパワーエレクトロニクス技術やシミュレーションの研究成果が認められた結果です。 言い換えれば、ロームR&D活動のレベルの高さが認められた証拠であるともいえます。

メンバーの主な種類とグレード

IEEE Japan Council HPをもとに作成)

推薦状で取り上げられた研究開発成果

1.パワーエレクトロニクス技術:2015年~現在

紹介動画 「SiCデバイス搭載 三相50kW双方向インバータ」

最高効率99%以上を達成する三相双方向インバータの提案

関連論文

[1] J. Kashiwagi, A. Yamaguchi, Y. Moriyama, and K. Nakahara, “Hysteretic Control Embedded Boost Converter Operating at 25-MHz Switching”, IEEE Trans. Circuits and Systems II: Exp. Briefs, Vol.66, pp. 101 (2019).

[2] Y. Nakakohara, H., T. M. Evans, T. Yoshida, M. Tsuruya, and K. Nakahara, "Three-Phase LLC Series Resonant DC/DC Converter Using SiC MOSFETs to Realize High-Voltage and High-Frequency Operation", IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.63, pp.2103 (2016)

[3] Miyazaki, H. Otake, Y. Nakakohara, M. Tsuruya, and K. Nakahara, “A Fanless Operating Trans-Linked Interleaved 5 kW Inverter Using SiC MOSFETs to Achieve 99% Power Conversion Efficiency”, IEEE Trans. Indust. Elec. Vol.65, p.9429 (2018).

2.パワーエレクトロニクスにおけるシミュレーション技術 2013年~現在

紹介動画 「パワーシステムの高精度シミュレーション技術」

設計コストの大幅削減を目指した高精度シミュレーション技術

関連論文

[1] H. Sakairi, T.Yanagi, H. Otake, N. Kuroda, H. Tanigawa, and K. Nakahara, “Measurement Methodology for Accurate Modeling of SiC MOSFET Switching Behavior Over Wide Voltage and Current Ranges”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.33, pp.7314 (2018).

[2] Y. Nakamura, T. M. Evans, N. Kuroda, H. Sakairi, Y. Nakakohara, H. Otake, and K. Nakahara, “Electrothermal Cosimulation for Predicting the Power Loss and Temperature of SiC MOSFET Dies Assembled in a Power Module”, IEEE Trans. Power Elec. Vol.35, pp.2950 (2020).

[3] J. Kashiwagi, H. Sakairi, H. Otake, Y. Nakakohara, and K. Nakahara, “Magnetic Near-Field Strength Prediction of a Power Module by Measurement-Independent Modeling of Its Structure”, IEEE Access, Vol.8, pp.101915 (2020).

研究開発センター長 プロフィール

中原 健
1995年入社。ガリウムヒ素(GaAs)系レーザーダイオードの開発や、酸化亜鉛(ZnO)系LED、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイス、炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスの研究に従事。
2019年から研究開発センターのセンター長を務め、新素材デバイスに加えて、パワーモジュールやシステム、シミュレーション技術など、さまざまな研究を主導している。