DTD123EC
NPN, SOT-23, R1=R2 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)
DTD123ECは抵抗器内蔵型のトランジスタです。バイアス用の抵抗は薄膜抵抗により構成し完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできます。また、寄生効果がほとんど生じないという利点があります。
主な仕様
特性:
Package Code
TO-236AB (SOT-23)
Number of terminal
3
Polarity
NPN
Supply voltage VCC 1[V]
50
Collector current Io (Ic) [A]
0.5
Input resistance R1 1 [kΩ]
2.2
Emitter base Resistance R2 1 [kΩ]
2.2
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
50
Collector current Io(Ic) [A]
0.5
Power Dissipation (PD)[W]
0.2
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Package Size [mm]
2.4x2.9 (t=1.2)
特長:
- NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 1)バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(等価回路図参照)
- 2)バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできる。また、寄生効果がほとんど生じないという利点がある。
- 3)ON-OFF条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。
