DTD123EC
NPN, SOT-23, R1=R2 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)

DTD123ECは抵抗器内蔵型のトランジスタです。バイアス用の抵抗は薄膜抵抗により構成し完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできます。また、寄生効果がほとんど生じないという利点があります。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | DTD123ECT116
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SOT-23
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-23

パッケージサイズ[mm]

2.9x2.4 (t=0.95)

端子数

3

極性

NPN

電源電圧 VCC [V]

50.0

コレクタ電流 Io(Ic) [A]

0.5

入力抵抗 R1 [kΩ]

2.2

ベース抵抗 R2 [kΩ]

2.2

コレクタ電圧 VCEO[V]

50.0

コレクタ電流 Io(Ic)[A]

0.5

許容損失 PD [W]

0.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
  • 1)バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。(等価回路図参照)
  • 2)バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全にアイソレーションしているため、入力を負にバイアスできる。また、寄生効果がほとんど生じないという利点がある。
  • 3)ON-OFF条件の設定だけで動作するため、機器の設計が容易に行える。

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • DTD123EC SPICE Model

2D/3D/CAD

  • SOT-23 STEP Data

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

環境データ

  • Constitution Materials List
  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について