DTD114GC
NPN, SOT-23, R2内蔵 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ)

DTD114GCは抵抗器内蔵型のトランジスタです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | DTD114GCT116
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SOT-23
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-23

パッケージサイズ [mm]

2.9x2.4 (t=1.2)

端子数

3

極性

NPN

電源電圧 VCC [V]

50.0

コレクタ電流 Io(Ic) [A]

0.5

ベース抵抗 R2 [kΩ]

10.0

コレクタ電圧 VCEO[V]

50.0

コレクタ電流 Io(Ic)［A］

0.5

許容損失 PD [W]

0.2

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
  • 内蔵抵抗:R = 10kΩ。
  • コンプリメンタリ:DTB114GC(PNPタイプ)
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