NPN, SOT-23, R2内蔵 デジタルトランジスタ (バイアス抵抗内蔵トランジスタ) - DTD114GC
DTD114GCは抵抗器内蔵型のトランジスタです。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-23
パッケージサイズ[mm]
2.9x2.4 (t=0.95)
端子数
3
極性
NPN
電源電圧 VCC [V]
50.0
コレクタ電流 Io(Ic) [A]
0.5
ベース抵抗 R2 [kΩ]
10.0
コレクタ電圧 VCEO[V]
50.0
コレクタ電流 Io(Ic)［A］
0.5
許容損失 PD [W]
0.2
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
- NPN epitaxial planar silicon transistor (Resistor built-in type)
- 内蔵抵抗:R = 10kΩ。
- コンプリメンタリ:DTB114GC(PNPタイプ)