SiC パワーモジュール - BSM180D12P3C007 | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor - japan

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SiC パワーモジュール - BSM180D12P3C007

ローム製SiC-UMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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外観

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

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形名 | BSM180D12P3C007

供給状況 | 供給中

パッケージ | C

包装数量 | 12

最小個装数量 | 12

包装形態 | トレイ

RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

180.0

PD [W]

880

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲(Min.)[°C]

-40

保存温度範囲(Max.)[°C]

125

内部回路

Half bridge

特長:

低サージ・低損失
高速スイッチング
特性の温度依存性が低い

サポートリンク:

SiC（シリコンカーバイド）特設サイト
低オン抵抗や高温度環境下での動作特性に優れ、次世代の低損失素子として期待されているSiC（シリコンカーバイド）。省電力化のキーデバイスとして、ロームは世界に先駆けてSiCパワーデバイスとモジュールの開発に取り組んでいます。
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