ROHM Product Detail

BSM180D12P3C007
1200V, 180A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-UMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM180D12P3C007
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C Type
包装形態 | 段ボール
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
RoHS | Yes

特性:

Drain-source Voltage[V]

1200

Drain Current[A]

180

Total Power Dissipation[W]

880

Junction Temperature (Max.) [℃]

175

Storage Temperature (Min.) [℃]

-40

Storage Temperature (Max.) [℃]

125

Package

Half-bridge

Package Size [mm]

122.0x45.6 (t=17.5)

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特長:

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  • 特性の温度依存性が低い

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