BSM180D12P3C007
1200V, 180A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール

ローム製SiC-UMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | BSM180D12P3C007
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

180.0

PD [W]

880

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Half bridge

パッケージサイズ [mm]

122x45.6 (t=17.5)

特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い

評価ボード

 
    • Drive Board
    • AgileSwitch 2ASC-12A1HP / EDCA2

    • BSM series (1200V, C type)
      Core Driver : 2ASC-12A1HP
      Adapter Board : EDCA2

  • 詳細
    • Drive Board
    • BSMGD3C12D24-EVK001

    • This evaluation board, BSMGD3C12D24-EVK001, is a gate driver board for full SiC Modules in C type housing. This evaluation board contains all the necessary components for optimal and safety driving the SiC module.

  • ユーザーガイド 購入問合せ
    • Snubber Module
    • MGSM1D72J2-145MH26

    • BSM series (1200V, C type)

  • 購入問合せ
    • Drive Board
    • TAMURA 2DU series

    • For BSM series (1200V, C / E / G type)

  • 詳細
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新商品一覧

デザインリソース

 

モデルとツール

デザインモデル

  • BSM180D12P3C007 PLECS Model
  • BSM180D12P3C007 SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • BSM180D12P3C007 SPICE Model
  • BSM180D12P3C007 Thermal Model (lib)
  • PSpiceモデルのシンボル作成方法
  • Power Module Loss Simulator - 3Phase Inverter
  • Power Module Loss Simulator - Boost Converter
  • Power Module Loss Simulator - Buck Converter

特性データ