SiC パワーモジュール - BSM180D12P3C007
ローム製SiC-UMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。
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特性:
VDS [V]
1200
ID [A]
180.0
PD [W]
880
ジャンクション温度 (Max.)[°C]
175
保存温度範囲 (Min.) [°C]
-40
保存温度範囲 (Max.)[°C]
125
内部回路
Half bridge
特長:
- 低サージ・低損失
- 高速スイッチング
- 特性の温度依存性が低い
