1200V, 180A, ハーフブリッジ トレンチMOS内蔵 フルSiCパワーモジュール - BSM180D12P3C007

ローム製SiC-UMOSFETを用いたハーフブリッジ構成のSiC MOSFETモジュールです。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | BSM180D12P3C007
供給状況 | 推奨品
パッケージ | C
包装数量 | 12
最小個装数量 | 12
包装形態 | 段ボール
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

ID [A]

180.0

PD [W]

880

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-40

保存温度範囲 (Max.)[℃]

125

内部回路

Half bridge

特長:

  • 低サージ・低損失
  • 高速スイッチング
  • 特性の温度依存性が低い