SiC MOSFET
SiC MOSFETは、スイッチング時のテール電流が原理的に発生せず、動作が高速かつスイッチング損失が低いデバイスです。低オン抵抗と小型チップサイズにより、ゲート電荷容量が低減します。また、SiCは高温環境下においてもオン抵抗の増加率が小さいなど優れた材料特性を備えており、シリコン（Si）デバイスよりも省エネと省スペースの点で優れています。
SiC MOSFET、SiC SBDのディスクリートパッケージロードマップ
現在のパッケージラインアップならびに開発中パッケージです。
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製品概要
SiC MOSFET サポートコンテンツ
評価ボード
Evaluation Board HB2637L-EVK-301
The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs(SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply required for the gate driver, LDO for 5V supply and easy to interface connectors for PWM signals.
EVK Simulatrion (ROHM Solution Simulator)
・P05CT4018KR-EVK-001 Double Pulse Test
・P04SCT4018KE-EVK-001 Double Pulse Test
・HB2637L-EVK-301 Double Pulse Test
評価基板をモデル化し、SiC MOSFETのダブルパルステスト環境をオンラインシミュレータに用意しました。動作電圧・ゲート駆動回路・スナバ回路定数などによるスイッチング波形をシミュレーションで評価可能とし、実機評価の工数削減や寄生インダクタの影響評価などで活用いただけます。*ご利用にはMyROHMへの登録が必要です。
SiC MOSFET サポートコンテンツ
評価ボード
| Category | SiC Product | Image | Part No. | User Guide | ボード入手 | |
| SiC-MOS | Evaluation Board |
SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-N |
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P04SCT4018KE-EVK-001 | 取扱説明書 製品仕様書 |
ネット商社から購入 ROHM Online Storeから購入 |
| SCT4XXX series Trench(4th Generation) TO-247-4L |
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P05SCT4018KR-EVK-001 | ネット商社から購入 ROHM Online Storeから購入 |
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| SCT3XXX series Trench(3rd Generation) TO-247-4L |
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P02SCT3040KR-EVK-001 | 取扱説明書 製品仕様書 |
ネット商社から購入 | ||
モデルとツール
ROHM Solution Simulator (ログイン必要)
ROHM Solution Simulatorは、部品選定やデバイス単体検証などの初期段階からシステムレベルの検証段階まで、幅広いシミュレーションを実行できるWebシミュレーションツールです。基板発注前に不具合箇所を抽出したり、パワー回路に多いトラブルを未然に防止することが期待でき、アプリケーション開発の大幅な工数削減に貢献します。
ROHM PLECS Simulator (ログイン必要)
ROHM PLECS Simulatorは、パワーエレクトロニクス開発におけるパワーデバイス選定を、直感的な操作で早く簡単に行えるWebシミュレータです。用意された回路トポロジを選択し、デバイスを選定して損失、温度、波形をすぐに確認できます。仕様実現に最適なデバイス能力やヒートシンクの熱特性などを検証可能です。
設計初期の構想検討からデバイス選定、動作比較までをスムーズに実行可能です。本ツールはどなたにも無料でご利用いただけます(MyROHM登録が必要)。
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トポロジー
関連製品