SCT3105KR
1200V, 24A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET

SCT3105KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | SCT3105KRC14
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TO-247-4L
包装数量 | 240
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

105

世代

3rd Gen (Trench)

ID [A]

24

PD [W]

134

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

16x23.45 (t=5.2)

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特長:

  • 高効率の4ピンパッケージでスイッチング損失を削減
  • 評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」を提供
  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチング
  • 逆回復時間が早い
  • 並列使用が容易
  • 駆動回路が簡単
  • Pbフリー対応済み、RoHS準拠

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • P02SCT3040KR-EVK-001

      • For evaluating ROHM’s SCT3040KR (1200V/40mΩ/TO-247-4L)
        Enables evaluation of other ROHM SiC MOSFETs by simply changing the circuit multiplier
      • In addition to the TO-247-4L package, there are through-holes for TO-247-3L that make it possible to perform comparative evaluations on the same board
      • Single power supply (+12V operation)
      • Supports double pulse testing up to 150A and switching up to 500kHz
      • Compatible with a variety of power supply topologies (Buck/Boost/Half Bridge)
      • Built-in isolated power supply for gate drive adjustable via variable resistor (+12V to +23V)
      • Jumper pins enable switching between negative bias/zero bias for gate drive
      • Includes overcurrent protection (DESAT, OCP) along with a function for preventing simultaneous ON of both upper and lower arms

  • ユーザーガイド 在庫確認
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