1200V, 24A, 4端子THD, トレンチ構造 SiC-MOSFET - SCT3105KR
SCT3105KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
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特性:
VDS [V]
1200
オン抵抗 (typ.)[mΩ]
105.0
ID [A]
24.0
PD [W]
134
ジャンクション温度 (Max.)[℃]
175
保存温度範囲 (Min.) [℃]
-55
保存温度範囲 (Max.)[℃]
175
特長:
- 高効率の4ピンパッケージでスイッチング損失を削減
- 評価ボード「P02SCT3040KR-EVK-001」を提供
- 低オン抵抗
- 高速スイッチング
- 逆回復時間が早い
- 並列使用が容易
- 駆動回路が簡単
- Pbフリー対応済み、RoHS準拠
