SCT3080KW7 (新製品)
1200V 30A, 7端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET

SCT3080KW7は1200V 30AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT3080KW7TL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263-7L
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80.0

ID [A]

30.0

PD [W]

159

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • ドライバソース端子を有する低インダクタンス表面実装パッケージを採用した SiC MOSFET(7pin SiC MOSFET)
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

アプリケーションノート

  • ドライバソース端子によるスイッチング損失の改善

技術記事

回路設計・検証

  • 測定波形から電力損失を求める方法
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
  • SiC パワーデバイス・モジュール
  • ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
  • SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
  • SiC MOSFET のスナバ回路
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

デザインモデル

  • SCT3080KW7 SPICE Model

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • TO-263-7L Package Dimensions
  • TO-263-7L 内部構造図
  • TO-263-7L 包装仕様
  • TO-263-7L 標印仕様説明
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

環境データ

  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について