1200V 30A, 7端子SMD, トレンチ構造, SiC-MOSFET - SCT3080KW7 (新製品)

SCT3080KW7は1200V 30AのNch SiCパワーMOSFETです。トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT3080KW7TL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263-7L
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80.0

ID [A]

30.0

PD [W]

159

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

  • Low on-resistance
  • Fast switching speed
  • Fast reverse recovery
  • Easy to parallel
  • Simple to drive
  • Pb-free lead plating ; RoHS compliant