SCT2280KE - 技術資料

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

ホワイトペーパー

採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
 
画期的な特性を有したSiC(シリコンカーバイド)半導体を用いたロームの最新パワーデバイスソリューションを紹介する。

アプリケーションノート

熱シミュレーション用 2抵抗モデル - シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス
 
熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな2抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは3次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
熱モデルの使い方
 
このアプリケーションノートは、熱モデルの入手方法と使い方、熱モデルを用いたシミュレーション方法について記しています。
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
 
SiC MOSFETはスイッチング時の電圧や電流の変化が非常に大きいために、ゲートソース間に発生するサージを正確に測定する必要があります。このアプリケーションノートでは、SiC MOSFETのゲートソース間電圧測定の測定方法、プローブの取り付け方、測定箇所の選定、プローブヘッド部の設置場所、ブリッジ構成における注意点を記しています。
SiC パワーデバイス・モジュール
 
ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
 
このアプリケーションノートはMOSFETブリッジ構成における各MOSFETのゲート―ソース間電圧に着目し、最も簡単な同期方式boost回路を例にして、スイッチング動作を詳細に理解することを目的とします。
SiC MOSFET のスナバ回路
 
ドレインーソース間のサージ抑制方法のひとつであるスナバ回路の設計方法
SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
 
SiC-MOSFETのゲートーソース間に発生するサージの発生原因を明確にしながら、最適な対策方法を説明
形名の構成
 
For SiC MOSFET