SCT2080KE
1200V, 40A, THD, SiC-MOSFET
SiCによるプレーナタイプMOSFETです。（SiC-SBD非同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
主な仕様
特性:
Drain-source Voltage[V]
1200
Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]
80
Generation
2nd Gen (Planar)
Drain Current[A]
40
Total Power Dissipation[W]
262
Junction Temperature(Max.)[°C]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
21.0x16.0 (t=5.2)
特長:
・低オン抵抗・高速スイッチング・低スイッチングロス
・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠
