SCT2080KE
1200V, 40A, THD, SiC-MOSFET

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | SCT2080KEGC11
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-247N
包装数量 | 450
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80.0

ID [A]

40.0

PD [W]

262

ジャンクション温度 (Max.)[℃]

175

保存温度範囲 (Min.) [℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

特長:

・低オン抵抗
・高速スイッチング・低スイッチングロス
・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • P01SCT2080KE-EVK-001
      • Optimized for evaluating ROHM's SCT2080KE SiC planar MOSFET (1200V/80mΩ); supports other ROHM SiC MOSFETs by changing circuit settings.
      • Evaluates MOSFETs and IGBTs at 1200V/5A (if item has a built-in inductor), 100kHz
      • Generates positive and negative bias voltages for the upper and lower arms from a single 12VDC system
      • Generates an internal gate signal for double pulse testing
      • Allows for evaluation of DC/DC converters via external supply signal
      • Flywheel enables selection of MOS body diodes, external diodes, and reverse conduction

  • 購入問合せ

デザインリソース

 

ドキュメント

ホワイトペーパー

  • SiCパワーデバイスと駆動ICを一括検証できる業界最先端のWebシミュレーションツール「ROHM Solution Simulator」
  • 採用が進むロームのSiC パワーデバイスソリューション
  • LEADRIVE: Design, Test and System Evaluation of Silicon Carbide Power Modules and Motor Control Units
  • Solving the challenges of driving SiC MOSFETs with new packaging developments

技術記事

回路設計・検証

  • 測定波形から電力損失を求める方法
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • SiC MOSFET ゲート-ソース電圧測定時の注意点
  • SiC パワーデバイス・モジュール
  • ブリッジ構成におけるゲート-ソース電圧の振る舞い
  • SiC-MOSFET ゲート-ソース電圧のサージ抑制方法
  • SiC MOSFET のスナバ回路
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(SiCパワーデバイス)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • 熱モデルの使い方
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • AC-DC PFC
    Circuit Number A001: BCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A002: BCM Diode-Bridge-Less VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A004: CCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A005: CCM 2-Phase VIN=200V IIN=5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A006: CCM Synchro VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A011: DCM VIN=200V IIN=2.5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A012: DCM 2-Phase VIN=200V IIN=5A
  • AC-DC PFC
    Circuit Number A014: DCM Synchro VIN=200V IIN=2.5A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C006: Buck Converter Vo=250V Io=20A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C007: Buck Converter 2-Phase Vo=250V Io=40A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C010: Flyback Converter VIN=800V Vo=25V Io=10A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C011: Forward Converter VIN=500V Vo=25V Io=10A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C012: LLC Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C013: Phase-Shift Buck Converter Vo=12V Io=250A
  • DC-DC Converter
    Circuit Number C014: Quasi-Resonant Converter VIN=800V Vo=25 Io=10A

デザインモデル

  • SCT2080KE SPICE Simulation Evaluation Circuit
  • SCT2080KE SPICE Model
  • SCT2080KE Thermal Model (lib)
  • SCT2080KE PathWave ADS Model

特性データ

  • ESD Data

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について
  • はんだ付け条件

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表
  • UL難燃性について
  • ELV指令適合証明書
  • Report of SVHC under REACH Regulation

輸出関連情報

  • 米国輸出規制 (EAR) について