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SiC MOSFET - SCT2080KE

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。(SiC-SBD非同梱タイプ) 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
形名 | SCT2080KEC
供給状況 | 供給中
パッケージ | TO-247
包装数量 | 360
最小個装数量 | 30
包装形態 | チューブ
RoHS | Yes

特性:

VDS [V]

1200

オン抵抗 (typ.)[mΩ]

80.0

ID [A]

40.0

PD [W]

262

ジャンクション温度 (Max.)[°C]

175

保存温度範囲 (Min.) [°C]

-55

保存温度範囲 (Max.)[°C]

175

特長:

・低オン抵抗
・高速スイッチング・低スイッチングロス
・低Qrr, trr ・高信頼性 寄生ダイオード
・並列使用が容易
・駆動回路が簡単
・Pbフリー対応済み、 RoHS準拠