BD6522F - 技術資料
拡張モジュール用パワースイッチはN channel Power MOSFETを1回路内蔵したパワーマネージメントスイッチです。スイッチは50mΩ(Typ.)の低オン抵抗を実現しています。スイッチは内蔵のチャージポンプにより緩やかにオンするためスイッチオン時の突入電流を緩和することができます。また外付け容量によるソフトスタート制御も可能です。また、スイッチオフ時に容量性の負荷からすばやく電荷を放電するための放電回路と低電圧誤動作防止回路、サーマルシャットダウンの保護回路を内蔵しています。
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アプリケーションノート
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パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
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測定に使用する機材は定期的に校正していても、測定環境に対して校正を怠ると誤った結果が得られます。このアプリケーションノートではパワー測定環境でプローブ校正の重要性について説明しています。
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パッケージの熱抵抗、熱特性パラメータについて
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パッケージの熱抵抗と熱特性パラメータの定義及びその活用方法
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バイパスコンデンサのインピーダンス特性
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このアプリケーションノートではコンデンサのインピーダンス特性にフォーカスし、バイパスコンデンサ選択時の注意点について説明しています。
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包装情報（形名の構成と包装発注単位）
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For ICs
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