出力異常検知付き 1chハイサイドスイッチ - BV1HJ045EFJ-C (新製品)

BV1HJ045EFJ-Cは車載用1chハイサイドスイッチです。出力の異常モードである地絡検出(過電流制限機能)、天絡検出機能、負荷オープン検出機能や、過熱保護機能、低電時出力OFF機能を内蔵しており、異常検出時の診断出力機能を備えています。過電流制限値は5.0A~12.0Aです。また、過電流制限値が2.5A~5.5AのBV1HL045EFJ-Cもラインアップしております。

形名 | BV1HJ045EFJ-CE2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HTSOP-J8
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

標準規格

AEC-Q100 (Automotive Grade)

電源電圧(Min.)[V]

6.0

電源電圧(Max.)[V]

28.0

消費電流(Typ.)[µA]

0.5

ON抵抗[mΩ]

45

出力チャンネル数[ch]

1

制御入力論理

Active High

過電流検出値[A]

5 to 12

出力立ち上がり時間[ms]

0.12

温度保護

Recovery

過電流時Flag出力Delay[ms]

0.1

動作温度範囲(Min.)[℃]

-40

動作温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

  • Dual TSD内蔵(ジャンクション温度を検知する過熱保護とPower-MOSの急峻な温度上昇を検知するΔTj保護の2種類の温度保護を内蔵)
  • AEC-Q100対応(Grade 1)
  • 過電流保護機能(OCP)内蔵
  • 過熱保護機能(TSD)内蔵
  • 負荷オープン検出機能内蔵
  • 天絡検出機能内蔵
  • 低電圧時出力OFF機能(UVLO)内蔵
  • バッテリー、GNDの逆接続保護内蔵
  • 診断出力内蔵
  • 低オン抵抗のNch MOSFETスイッチを1回路内蔵
  • 制御部(CMOS)とパワーMOSFETを1チップ上に組み込んだモノリシックパワーIC