BM1R00147F
高効率・低待機時消費電力・連続モード対応 二次側同期整流制御IC

BM1R00147Fは二次側出力段に用いられる同期整流コントローラです。超低消費高精度シャントレギュレータを内蔵しており、待機時電力を大幅に削減可能とします。また、シャントレギュレータは完全独立チップで構成されているため、High Sideで使用する場合でもGND基準として動作可能です。また、連続モード動作時には、一次側のスイッチング同期信号を入力なしで動作対応を可能とし、さらなる省スペース化が実現できます。動作電源電圧は2.7V~32Vと幅広く、様々な出力のアプリケーションに対応可能です。また、高耐圧120Vプロセス採用により、ドレイン電圧を直接モニタすることが可能です。

BM1R00147Fの評価ボード情報はこちら。この他にも、様々な電力帯とトポロジーに対応した評価ボードを取り揃えております。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | BM1R00147F-E2
供給状況 | 推奨品
パッケージ | SOP8
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

チャンネル数

1

コントローラタイプ

SR

回路構成

Flyback

電源電圧 (min)[V]

2.7

電源電圧 (max)[V]

32.0

シャントレギュレータ精度(%)

0.5

VCC OVP

Auto Restart

OVP

Fixed

パッケージサイズ [mm]

5x6.2 (t=1.71)

強制OFF時間 (typ)[µs]

2.0

FET

-

DRAINモニター耐圧 [V]

120

BR PIN

No

Light Load mode

No

EN

No

動作温度範囲(Min.)[℃]

-40

動作温度範囲(Max.)[℃]

105

特長:

  • 超低消費シャントレギュレータ内蔵により待機時消費電力を削減
  • 同期整流FET配置: High/Low Sideに対応
  • 高耐圧プロセスドレイン端子耐圧120V
  • 幅広い入力動作電圧範囲 2.7V~32V
  • PWM、疑似共振、LLC等様々な駆動方式に対応
  • 連続モード時、一次側信号入力不要
  • SH_IN、SH_OUT、端子過電圧保護 (OVP) 内蔵
  • 過熱保護 (TSD) 内蔵
  • 自動シャットダウン機能内蔵
  • フロー対応SOP8パッケージ

評価ボード

 
    • Evaluation Board
    • BM1R00147F-EVK-001
    • This evaluation board has provided the secondary-side synchronous rectification circuit using BM1R00147F. This evaluation board assumes that the primary side controller of insulated type with PWM flyback converter operates in DCM and set to 5V for output voltage. The secondary-side MOSFET uses ROHM’s RX1L16BGN. The secondary-side MOSFET can be located on High Side. (When the secondary-side MOSFET is located on Low Side, see “User’s Guide BM1R00147F-EVK-002 (No.60UG023E)”.)

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    • Evaluation Board
    • BM1R00147F-EVK-002
    • This evaluation board has provided the secondary-side synchronous rectification circuit using BM1R00147F. This evaluation board assumes that the primary side controller of insulated type with PWM flyback converter operates in DCM and set to 5V for output voltage. The secondary-side MOSFET uses ROHM’s RX1L16BGN. The secondary-side MOSFET can be located on Low Side. (When the secondary-side MOSFET is located on High Side, see “User’s Guide BM1R00147F-EVK-001 (No.60UG021E)”.)

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