BM1R00147F
高効率・低待機時消費電力・連続モード対応 二次側同期整流制御IC
BM1R00147Fは二次側出力段に用いられる同期整流コントローラです。超低消費高精度シャントレギュレータを内蔵しており、待機時電力を大幅に削減可能とします。また、シャントレギュレータは完全独立チップで構成されているため、High Sideで使用する場合でもGND基準として動作可能です。また、連続モード動作時には、一次側のスイッチング同期信号を入力なしで動作対応を可能とし、さらなる省スペース化が実現できます。動作電源電圧は2.7V~32Vと幅広く、様々な出力のアプリケーションに対応可能です。また、高耐圧120Vプロセス採用により、ドレイン電圧を直接モニタすることが可能です。
BM1R00147Fの評価ボード情報はこちら。この他にも、様々な電力帯とトポロジーに対応した評価ボードを取り揃えております。
主な仕様
特性:
Channel
1
Controller Type
SR
Circuit Configuration
Flyback
Vin1 (Min.)[V]
2.7
Vin1 (Max.)[V]
32
Shunt Regulator Accuracy (%)
0.5
VCC OVP
Auto Restart
OVP
Fixed
Compulsion OFF Time (typ. μs)
2
FET
-
Drain Monitor Voltage [V]
120
BR PIN
No
Light Load mode
No
EN
No
Operating Temperature (Min.)[°C]
-40
Operating Temperature (Max.)[°C]
105
Package Size [mm]
5.0x6.2 (t=1.71)
特長:
- 超低消費シャントレギュレータ内蔵により待機時消費電力を削減
- 同期整流FET配置： High/Low Sideに対応
- 高耐圧プロセスドレイン端子耐圧120V
- 幅広い入力動作電圧範囲 2.7V～32V
- PWM、疑似共振、LLC等様々な駆動方式に対応
- 連続モード時、一次側信号入力不要
- SH_IN、SH_OUT、端子過電圧保護 (OVP) 内蔵
- 過熱保護 (TSD) 内蔵
- 自動シャットダウン機能内蔵
- フロー対応SOP8パッケージ
リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット
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- Evaluation Board - BM3G007MUV-EVK-001
本評価ボードは、90Vac〜264Vacの入力から絶縁12Vの電圧を出力し、出力最大電流は8.3Aを出力できます。主にアダプタ用電源として開発しました。平均効率はVIN=230Vのとき90.7%です。BM3G007MUVはGaN HEMT(650V70mΩ)、ドライバと保護回路を内蔵しています。AC/DC電源向けQRコントローラはBM1Q021FJを使用しています。
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- Evaluation Board - BM1R00147F-EVK-001
This evaluation board has provided the secondary-side synchronous rectification circuit using BM1R00147F. This evaluation board assumes that the primary side controller of insulated type with PWM flyback converter operates in DCM and set to 5V for output voltage. The secondary-side MOSFET uses ROHM’s RX1L16BGN. The secondary-side MOSFET can be located on High Side. (When the secondary-side MOSFET is located on Low Side, see “User’s Guide BM1R00147F-EVK-002 (No.60UG023E)”.)
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- Evaluation Board - BM1R00147F-EVK-002
This evaluation board has provided the secondary-side synchronous rectification circuit using BM1R00147F. This evaluation board assumes that the primary side controller of insulated type with PWM flyback converter operates in DCM and set to 5V for output voltage. The secondary-side MOSFET uses ROHM’s RX1L16BGN. The secondary-side MOSFET can be located on Low Side. (When the secondary-side MOSFET is located on High Side, see “User’s Guide BM1R00147F-EVK-001 (No.60UG021E)”.)
関連動画&カタログ
