主な仕様
特性:
タイプ
Ultraminiature Type
ギャップ長[mm]
0.8
スリット長[mm]
0.4
出力タイプ
Phototransistor
コレクタ電流(Min.)[mA]
0.7
コレクタ電流 Min.時 VCE条件[V]
5
コレクタ電流Min.時 IF条件[mA]
20
動作温度範囲(Min.)[℃]
-25
動作温度範囲(Max.)[℃]
85
パッケージサイズ [mm]
3.6x2.6 (t=3.3)
特長:
・ギャップ幅1.0mm・超小型ディップタイプ