RD3G01BAT
Pch -40V -15A パワーMOSFET

RD3G01BATはスイッチングアプリケーションに適した低オン抵抗のパワーMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RD3G01BATTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-252
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TO-252 (DPAK)

JEITAパッケージ

SC-63

端子数

3

極性

Pch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-40

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-15

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.038

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.031

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.038

ゲート総電荷量 Qg [nC]

9.5

許容損失 PD [W]

25

駆動電圧 [V]

-4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

6.6x10.0 (t=2.4)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • 駆動回路が簡単
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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