RSF014N03
4V駆動タイプ Nch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RSF014N03TL
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TUMT3
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

SOT-323T

JEITA Package

SC-113A

Number of terminal

3

Polarity

Nch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.4

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.27

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)

0.25

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.27

Total gate charge Qg[nC]

1.4

Power Dissipation (PD)[W]

0.8

Drive Voltage[V]

4

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.1x2.0 (t=0.82)

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特長:

・4V駆動タイプ
・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Reference Design - REF67011
    • NFCテレメータ式 回転体トルクセンシング
    • このリファレンスデザインでは、ひずみセンサとML7660-EVK-002をシャフトにとり付けます。
      これまで不可能であった、回転するシャフトのひずみ量を直接計測しデータ収集することが可能です。

      具体的には以下の流れで計測します。
      ①給電LSIが受電LSIに無線で電力供給
      ②受電LSIがひずみセンサに有線で電力供給
      ③ひずみセンサが回転するシャフトのひずみ量を計測
      ④ひずみセンサがひずみ計測データを受電LSIに有線送信
      ⑤受電LSIが給電LSIに計測データを無線送信

      このリファレンスデザインでは、グローセル社製センサ[STREAL SR300]を使用しています。グローセル社製センサをご利用希望の場合は、予め入手可否を含め、直接グローセル社へご確認ください。
      https://www.glosel.co.jp/contact-streal/

デザインリソース

 
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