Nch 100V 120A パワーMOSFET - RJ1P12BBD
RJ1P12BBDはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-263AB
パッケージサイズ[mm]
10.1x15.1 (t=4.7)
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
100
ドレイン電流 (直流) ID [A]
120.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0044
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0052
ゲート総電荷量 Qg [nC]
51.0
許容損失 PD [W]
178.0
駆動電圧 [V]
6.0
実装方式
Surface mount
Bare Die/Wafer 品番
Available: K3706
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- ハイパワーパッケージ
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- 100% Rg及びアバランシェ耐量試験済
- ハロゲンフリー