RJ1P10BBH (新製品)
Nch 100V 170A, TO-263AB, パワーMOSFET

RJ1P10BBHはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RJ1P10BBHTL1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TO-263AB-3LSHYAD
包装数量 | 800
最小個装数量 | 800
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TO-263AB

推奨セット

Switching

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

170

RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)

0.0028

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.0023

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.0028

ゲート総電荷量 Qg [nC]

89

許容損失 PD [W]

189

駆動電圧 [V]

6

Trr (Typ.)[ns]

90

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

10.11×15.1 (t=4.77)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • ハイパワーパッケージ(TO263AB)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • 100% アバランシェ耐量試験済
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