主な仕様
特性:
推奨セット
Switching
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
20
ドレイン電流 (直流) ID [A]
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.2
ゲート総電荷量 Qg [nC]
1.5
許容損失 PD [W]
1
駆動電圧 [V]
1.8
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
0.6x1 (t=0.25)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- ESD MM : 200V以上
HBM : 2kV以上 - WLCSP (Wafer level chip size package)
製品概要
背景
近年、小型機器の高機能化が進み、機器内で必要とされる電力量が増えているため、バッテリーサイズの大型化によって部品の実装スペースが減少しています。また、バッテリーの大型化には限界があり、限られたバッテリー電力を効率的に使用するため、搭載される部品にはより電力損失を抑えることが求められています。
こうした中、MOSFETでは小型化しやすく特性に優れたウエハレベルチップサイズパッケージを用いた開発が業界の主流となりつつあります。ロームはICメーカーでもある強みを活かし、ディスクリートの従来プロセスでは大きくなっていた配線抵抗を、ICのプロセスを活用することにより大幅に削減。小型かつ電力損失を抑えたMOSFETを開発しました。
概要
RA1C030LDは、ローム独自のICプロセスを応用したウエハレベルチップサイズパッケージDSN1006-3（1.0mm×0.6mm）を採用しており、小型化と同時に低電力損失を実現。導通損失とスイッチング損失の関係を表す指標（オン抵抗×Qgd）においては、同パッケージの一般品よりも最大約20%向上した業界トップクラスの値（1.0mm×0.6mm以下のパッケージでの比較）を達成し、各種小型機器の基板上の部品面積削減と高効率化に大きく貢献します。また、ローム独自のパッケージ構造により、側壁の絶縁保護を実現（同パッケージの一般品は絶縁保護なし）。スペースの制約により部品の高密度実装が必要な小型機器において、部品同士の接触による短絡（ショート）リスクを下げることが可能となるため、安全動作に寄与します。
アプリケーション例
- ◇ワイヤレスイヤホンなどのヒアラブル端末
- ◇スマートウォッチ、スマートグラス、アクションカメラなどのウェアラブル機器
- ◇スマートフォン
- その他、幅広い小型・薄型機器のスイッチングに採用可能です。
