US6K4
1.8Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET
電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
主な仕様
特性:
Package Code
SOT-363T
JEITA Package
SC-113DA
Number of terminal
6
Polarity
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
20
Drain Current ID[A]
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)
0.22
Total gate charge Qg[nC]
1.8
Power Dissipation (PD)[W]
1
Drive Voltage[V]
1.8
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
2.1x2.0 (t=0.82)
特長:
・低電圧1.8V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠
