1.8Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET - US6K4
電界効果トランジスタのMOSFET。Nch MOSFETを2素子複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
SOT-363T
JEITAパッケージ
SC-113DA
パッケージサイズ[mm]
2.0x2.1 (t=0.85)
端子数
6
極性
Nch+Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
20
ドレイン電流 (直流) ID [A]
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)
0.22
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)
0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.13
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.22
ゲート総電荷量 Qg [nC]
1.8
許容損失 PD [W]
1.0
駆動電圧 [V]
1.8
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
特長:
・低電圧1.8V駆動タイプ・Nch+Nch ミドルパワーMOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠