ROHM Product Detail

QS6M4
2.5Ｖ駆動タイプ Nch+Pch MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。Pch MOSFETとNch MOSFETを複合しています。微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

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* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。
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主な仕様

 
形名 | QS6M4TR
供給状況 | 購入可能
パッケージ | TSMT6
包装形態 | テーピング
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
RoHS | Yes

特性:

Package Code

SOT-457T

JEITA Package

SC-95

Number of terminal

6

Polarity

Nch+Pch

Drain-Source Voltage VDSS[V]

30

Drain Current ID[A]

1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ)

0.26

Total gate charge Qg[nC]

1.6

Power Dissipation (PD)[W]

1.25

Drive Voltage[V]

2.5

Mounting Style

Surface mount

Storage Temperature (Min)[℃]

-55

Storage Temperature (Max)[℃]

150

Package Size [mm]

2.8x2.9 (t=1.0)

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特長:

・2.5V駆動タイプ
・Nch+Pch ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

リファレンスデザイン / アプリケーション評価キット

 
    • Reference Design - REF67011
    • NFCテレメータ式　回転体トルクセンシング

    • このリファレンスデザインでは、ひずみセンサとML7660-EVK-002をシャフトにとり付けます。
      これまで不可能であった、回転するシャフトのひずみ量を直接計測しデータ収集することが可能です。

      具体的には以下の流れで計測します。
      ①給電LSIが受電LSIに無線で電力供給
      ②受電LSIがひずみセンサに有線で電力供給
      ③ひずみセンサが回転するシャフトのひずみ量を計測
      ④ひずみセンサがひずみ計測データを受電LSIに有線送信
      ⑤受電LSIが給電LSIに計測データを無線送信

      このリファレンスデザインでは、グローセル社製センサ[STREAL SR300]を使用しています。グローセル社製センサをご利用希望の場合は、予め入手可否を含め、直接グローセル社へご確認ください。
      https://www.glosel.co.jp/contact-streal/

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