QS5U21
2.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード(SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | QS5U21TR
供給状況 | 推奨品
パッケージ | TSMT5
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

グレード

Standard

パッケージコード

SOT-25T

パッケージサイズ[mm]

2.9x2.8 (t=1.0)

端子数

5

極性

Pch+Schottky

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

-20

ドレイン電流 (直流) ID [A]

-1.5

RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)

0.26

RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)

0.18

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.16

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.26

ゲート総電荷量 Qg [nC]

4.2

許容損失 PD [W]

0.9

駆動電圧 [V]

-2.5

逆方向電圧 (Diode)[V]

20.0

順方向電流 (Diode)[A]

1.0

サージ順方向電流 (Diode)[A]

3.0

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

特長:

・ショットキーダイオード内蔵ミドルパワーMOSFET
・小型面実装パッケージで省スペース
・鉛フリー対応、RoHS規格準拠

デザインリソース

 

技術記事

回路設計・検証

  • 安全動作領域(SOA)の温度ディレーティングについて
  • スイッチング回路の電力損失計算
  • MOSFETの仕様書に記載している用語説明
  • スイッチング波形のモニタ方法
  • MOSFET の破壊メカニズムについて
  • パワー測定におけるプローブ校正の重要性 デスキュー編
  • バイパスコンデンサのインピーダンス特性

熱設計

  • 熱シミュレーション用 2抵抗モデル
  • 熱電対を用いた温度測定における注意点
  • 熱モデルとは(トランジスタ)
  • pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
  • MOSFETにおける許容損失と熱抵抗について
  • 熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
  • 熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点

モデルとツール

シミュレーション(ログイン必要)

  • 回路データのエクスポート方法 (ROHM Solution Simulator)

デザインモデル

  • QS5U21 SPICE Model
  • QS5U21 Thermal Model (lib)

特性データ

  • 静電気耐圧データ

パッケージと品質データ

パッケージ情報

  • 外形寸法図
  • 内部構造図
  • 包装仕様
  • 標印仕様説明
  • はんだ付け条件
  • 耐湿レベルについて
  • 耐ウィスカ性能について

製造データ

  • 信頼性試験結果

環境データ

  • 構成物質一覧表 - クリックしてお問い合わせください
  • UL難燃性について
  • REACH規制-高懸念物質非含有について : クリックしてお問い合わせください
  • RoHS/ELV指令適合証明書

輸出関連情報

  • 輸出貿易管理令について