HT8KE6
100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET

HT8KE6はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | HT8KE6TB1
供給状況 | 推奨品
パッケージ | HSMT8 (Symmetry Dual)
包装数量 | 3000
最小個装数量 | 3000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

HSMT8D (3.3x3.3)

端子数

8

極性

Nch+Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

100

ドレイン電流 (直流) ID [A]

13

RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)

0.056

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.044

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.056

ゲート総電荷量 Qg [nC]

3.3

許容損失 PD [W]

14

駆動電圧 [V]

4.5

実装方式

Surface mount

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

3.3x3.3 (t=0.8)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
  • ハロゲンフリー

製品概要

 

背景

近年、通信基地局や産業機器では、電流値を下げることによる高効率化を目的として、従来の12V / 24V系統から48V系統に電源の高圧化が進んでいます。また、これらの機器を冷却するためのファンモーターにおいても、48V系統の電源が使用されており、スイッチング用途のMOSFETには、電圧変動を考慮した100V耐圧品が要求されています。一方、耐圧を高くすると、背反関係にあるオン抵抗も高くなり効率が悪化するため、高耐圧化と低オン抵抗化の両立が課題となります。一般的に、ファンモーターでは、複数個の駆動用MOSFETが使用されていますが、省スペース化の観点から、2チップを1パッケージ化したデュアルMOSFETの採用が進んでいます。

概要

ロームの最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、業界トップの低オン抵抗(Ron)を達成しました。また、2つのチップを1パッケージに同梱したことで面積を削減でき、機器の省スペース化に寄与します。

アプリケーション例

・通信基地局向けファンモーター
・FA機器などの産業機器向けファンモーター
・データセンターなどのサーバー向けファンモーター

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