主な仕様
特性:
パッケージコード
HSMT8D (3.3x3.3)
端子数
8
極性
Nch+Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
100
ドレイン電流 (直流) ID [A]
7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.148
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.2
ゲート総電荷量 Qg [nC]
1.7
許容損失 PD [W]
13
駆動電圧 [V]
4.5
実装方式
Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
3.3x3.3 (t=0.8)
特長:
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
製品概要
背景
近年、通信基地局や産業機器では、電流値を下げることによる高効率化を目的として、従来の12V / 24V系統から48V系統に電源の高圧化が進んでいます。また、これらの機器を冷却するためのファンモーターにおいても、48V系統の電源が使用されており、スイッチング用途のMOSFETには、電圧変動を考慮した100V耐圧品が要求されています。一方、耐圧を高くすると、背反関係にあるオン抵抗も高くなり効率が悪化するため、高耐圧化と低オン抵抗化の両立が課題となります。一般的に、ファンモーターでは、複数個の駆動用MOSFETが使用されていますが、省スペース化の観点から、2チップを1パッケージ化したデュアルMOSFETの採用が進んでいます。
概要
ロームの最新プロセスおよび裏面放熱パッケージを採用することで、業界トップの低オン抵抗（Ron）を達成しました。また、2つのチップを1パッケージに同梱したことで面積を削減でき、機器の省スペース化に寄与します。
アプリケーション例
・通信基地局向けファンモーター
・FA機器などの産業機器向けファンモーター
・データセンターなどのサーバー向けファンモーター
