650V 35A TO-3PF, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET - R6535ENZ (新製品)
R6535ENZは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。スイッチング用途に最適です。
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特性:
グレード
Standard
パッケージコード
TO-3PF
パッケージサイズ[mm]
26.5x15.5 (t=5.5)
推奨セット
Power Supply
端子数
3
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
650
ドレイン電流 (直流) ID [A]
35.0
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.098
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.098
ゲート総電荷量 Qg [nC]
110.0
許容損失 PD [W]
102.0
駆動電圧 [V]
10.0
Trr (Typ.)[ns]
720
実装方式
Leaded type
Bare Die/Wafer 品番
Available: K7456
保存温度範囲(Min.)[°C]
-55
保存温度範囲(Max.)[°C]
150
特長:
- 低オン抵抗
- 高速スイッチングスピード
- 並列使用が容易
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠