R6020ENJ
600V 20A TO-263, 低ノイズ仕様 パワーMOSFET

電界効果トランジスタのMOSFET。微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | R6020ENJTL
供給状況 | 購入可能
パッケージ | LPTS (D2PAK)
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

パッケージコード

TO-263 (D2PAK)

JEITAパッケージ

SC-83

推奨セット

Power Supply

端子数

3

極性

Nch

ドレインソース間電圧 VDSS [V]

600

ドレイン電流 (直流) ID [A]

20

RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

0.17

RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

0.17

ゲート総電荷量 Qg [nC]

60

許容損失 PD [W]

40

駆動電圧 [V]

10

Trr (Typ.)[ns]

550

実装方式

Surface mount

Bare Die/Wafer 品番

Available: K7401

保存温度範囲(Min.)[℃]

-55

保存温度範囲(Max.)[℃]

150

パッケージサイズ [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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特長:

  • 低オン抵抗
  • 高速スイッチングスピード
  • ゲート・ソース電圧VGSS=±20V保証
  • 駆動回路が簡単
  • 並列使用が容易
  • 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
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