主な仕様
特性:
Number of terminal
8
Polarity
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]
100
Drain Current ID[A]
27
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ)
0.026
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ)
0.021
RDS(on)[Ω] VGS=Drive(Typ)
0.026
Total gate charge Qg[nC]
7.5
Power Dissipation (PD)[W]
69
Drive Voltage[V]
4.5
Mounting Style
Surface mount
Storage Temperature (Min)[℃]
-55
Storage Temperature (Max)[℃]
150
Package Size [mm]
3.3x3.3 (t=0.9)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- 小型・ハイパワー実現パッケージ
- 独自の端子・めっき処理により、高い実装信頼性を実現
- AEC-Q101準拠
製品概要
背景
自動車分野では、安全性や利便性の向上を背景とした電装品の増加により電子デバイスの搭載数が増加しており、かつ燃費・電費向上のためにこれらの省電力化も求められています。特に、車載アプリケーションのスイッチング用途に欠かせないMOSFETにおいては、オン抵抗を低く抑えた低損失かつ低発熱な製品の需要が高まっています。
概要
本製品は耐圧が100Vで、スプリットゲート構造を採用することで、車載アプリケーションの高効率動作に寄与する低オン抵抗を実現しています。車載信頼性規格AEC-Q101に準拠しており、高い信頼性も確保しています。
アプリケーション例
◇車載各種モーター(ドアロック、シートポジション、パワーウインドーなど)
◇LEDヘッドライト
◇インフォテインメント、車載ディスプレイ
◇先進運転支援システム(ADAS)