主な仕様
特性:
端子数
7
極性
Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V]
40
ドレイン電流 (直流) ID [A]
12
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
0.0196
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
0.0135
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
0.0196
ゲート総電荷量 Qg [nC]
4.8
許容損失 PD [W]
23
駆動電圧 [V]
4.5
保存温度範囲(Min.)[℃]
-55
保存温度範囲(Max.)[℃]
150
パッケージサイズ [mm]
2.0x2.0 (t=0.65)
標準規格
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- AEC-Q101準拠
- 低オン抵抗
- 小型ハイパワーパッケージ
- 鉛フリー対応済み、RoHS準拠
- ハロゲンフリー
- WettableFlank対応
製品概要
背景
自動車分野では、安全性や利便性の向上を背景とした電装品の増加により電子デバイスの搭載数が増加しており、かつ燃費・電費向上のためにこれらの省電力化も求められています。特に、車載アプリケーションのスイッチング用途に欠かせないMOSFETにおいては、オン抵抗を低く抑えた低損失かつ低発熱な製品の需要が高まっています。
概要
本製品は耐圧が40Vで、スプリットゲート構造を採用することで、車載アプリケーションの高効率動作に寄与する低オン抵抗を実現しています。車載信頼性規格AEC-Q101に準拠しており、高い信頼性も確保しています。
アプリケーション例
◇車載各種モーター(ドアロック、シートポジション、パワーウインドーなど)
◇LEDヘッドライト
◇インフォテインメント、車載ディスプレイ
◇先進運転支援システム(ADAS)