ROHM Product Detail

新規設計非推奨 BR25G512F-3
512KBit, SPI BUS, 低消費電力 シリアルEEPROM

既存のお客様をサポートするために生産されている製品です。新規設計にこの製品は販売しておりません。

データシート
データシート

主な仕様

 
形名 | BR25G512F-3GE2
供給状況 | 新規設計非推奨
パッケージ | SOP8
包装形態 | テーピング
包装数量 | 2500
最小個装数量 | 2500
RoHS | Yes

特性:

Series

BR25G-3

Density [bit]

512K

Bit Format [Word x Bit]

64K x 8

Vcc(Min.)[V]

1.8

Vcc(Max.)[V]

5.5

Circuit Current (Max.)[mA]

4

Standby Current (Max.)[μA]

1

Write Cycle (Max.)[ms]

5

Input Frequency (Max.)[Hz]

10M

Endurance (Max.)[Cycle]

106

Data Retention (Max.)[Year]

100

I/F

SPI BUS

Operating Temperature (Min.)[°C]

-40

Operating Temperature (Max.)[°C]

85

Package Size [mm]

5.0x6.2 (t=1.71)

特長:

  • 最高速10MHz (Max) のクロック動作
  • HOLDB端子によるウェイト機能
  • プログラムによってメモリアレイの一部～全部を
    書き換え禁止 (ROM) 領域に設定可能
  • 1.8V ～ 5.5V 単一電源動作でバッテリーユースにも最適
  • ページライトモード最大128Byte
  • SPI BUSインタフェース (CPOL,CPHA) = (0,0) 、(1,1) に対応
  • データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
  • 低消費電流
    ・ライト動作時（5V時）： 0.7mA (Typ)
    ・リード動作時（5V時）： 2.4mA (Typ)
    ・待機時（5V時）： 0.1µA (Typ)
  • 読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
  • 誤書き込み防止機能
    ・電源投入時の書き込み禁止
    ・命令コード (WRDI) による書き込み禁止
    ・WPBピンによる書き込み禁止
    ・ステータスレジスタ (BP1,BP0) による
    ・書き込み禁止ブロックの設定
    ・低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵
  • 100年間のデータ保持が可能
  • 1,000,000回のデータ書き換えが可能
  • ビット形式64K×8
  • 出荷時データ
    メモリアレイ：FFh
    ステータスレジスタ：WPEN, BP1, BP0：0
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