RGT40NS65D(LPDS)
短絡耐量 5µs, 650V 20A, FRD内蔵, LPDS, Field Stop Trench IGBT

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

データシート 在庫確認*
* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。
車載機器への使用は推奨されていません。

主な仕様

 
形名 | RGT40NS65DGTL
供給状況 | 推奨品
パッケージ | LPDS
包装数量 | 1000
最小個装数量 | 1000
包装形態 | テーピング
RoHS | Yes

特性:

シリーズ

T: For inverter (tsc 5µs)

VCES [V]

650

IC(100℃) [A]

20

VCE(sat)(Typ.) [V]

1.65

tf(Typ.) [ns]

60

tsc(Min.) [us]

5

ダイオード 内蔵

FRD

Pd [W]

161

BVCES(Min.) [V]

650

保存温度範囲 (Min.)[℃]

-55

保存温度範囲 (Max.)[℃]

175

パッケージサイズ [mm]

10.1x13.1 (t=4.7)

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特長:

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