RGT40NS65D(LPDS) - 技術資料

ロームのIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品は、幅広い高電圧・大電流アプリケーションの高効率化と省エネルギー化に貢献します。

* 本製品は、STANDARD GRADEの製品です。車載機器への使用は推奨されていません。

アプリケーションノート

スイッチング回路の電力損失計算
 
SiC MOSFETを用いたスイッチング回路における、SiC MOSFETのスイッチング動作時に発生する電力損失の計算方法を記載しています。
熱電対を用いた温度測定における注意点
 
このアプリケーションノートでは、温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱シミュレーション用 2抵抗モデル
 
熱シミュレーションで使用する熱モデルのなかで、最もシンプルな2抵抗モデルについて説明します。対象の熱シミュレーションは3次元モデル熱伝導、熱流体解析ツールです。
pn接合の順方向電圧を用いた温度測定の注意点
 
このアプリケーションノートでは、pn接合の順方向電圧を用いた温度測定における注意点を説明します。尚、このアプリケーションノートの内容は半導体デバイスの種類によらず、一般的に使用できる内容です。
熱モデルとは(IGBT)
 
SPICEモデルには、熱に関するシミュレーションを行うための熱モデルと呼ばれるものがあります。熱モデルを用いたシミュレーションは、熱設計の初期段階に大まかな見積もりを立てるために実施されます。このアプリケーションノートでは熱モデルについて説明します。
スイッチング波形のモニタ方法
 
このアプリケーションノートは、スイッチング電源やモータドライブ回路などにおけるパワーデバイス素子のスイッチング波形の正しいモニタ方法を説明します。
熱抵抗RthJC の測定方法と使い方
 
ディスクリート半導体デバイスのジャンクションからケースへの熱抵抗を測定する方法と、その使い方について説明しています。
バイパスコンデンサのインピーダンス特性
 
このアプリケーションノートではコンデンサのインピーダンス特性にフォーカスし、バイパスコンデンサ選択時の注意点について説明しています。
熱電対でパッケージ裏面を測定するときの注意点
 
実動作時に半導体チップのジャンクション温度を求めるために熱電対を使ってパッケージ裏面の温度を測定するときの注意点を記載しています。