GNE1008TB (開発中)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNE1008TB (開発中)
EcoGaN™, 150V 30A DFN5060, E-mode Gallium-Nitride(GaN) HEMT
GNE1008TBは8Vゲート耐圧の150V GaN HEMTです。低いオン抵抗と高速スイッチング性能を最大限生かすことで省エネ・小型化に貢献するEcoGaN™シリーズの製品であり、電源効率は1MHzの高周波帯でも96.5%以上を実現しています。また、大電流対応かつ放熱性にも優れる汎用性の高いDFNパッケージは、実装工程でのハンドリングを容易にします。 GaN HEMT用のゲートドライバはこちら → GaN用ゲートドライバ
車載機器への使用は推奨されていません。
主な仕様
特性:
VDS [V]
150
IDS [A]
30
VGS Rating [V]
8
RDS(on) [mΩ]
8.5
Qg [nC]
7
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
150
Dimensions [mm]
5.0x6.0 (t=1.0)
特長:
- E-mode
- Reliable and easy to use with DFN package
- High gate voltage maximum rating 8V
- Very high switching frequency
関連動画&カタログ
