YQ1VWM10ATF
トレンチMOSバリア構造, 100V, 1A, PMDEM, 車載用 高効率パワーSBD
YQ1VWM10ATFは低VFと低IRのトレードオフ改善を突き詰めた高効率なショットキーバリアダイオードです。低VFでありながら高温動作時の安定動作を実現しています。スイッチング電源やフリーホイールダイオード、逆接続保護の用途に最適です。
主な仕様
特性:
Configuration
Single
Mounting Style
Surface mount
Number of terminal
2
VRM[V]
100
Reverse Voltage VR[V]
100
Average Rectified Forward Current IO[A]
1
IFSM[A]
25
Forward Voltage VF(Max.)[V]
0.7
IF @ Forward Voltage [A]
1
Reverse Current IR(Max.)[mA]
0.006
VR @ Reverse Current[V]
100
Tj[℃]
175
Storage Temperature (Min.)[°C]
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]
175
Package Size [mm]
2.5x1.3 (t=1.0)
Common Standard
AEC-Q101 (Automotive Grade)
特長:
- 高信頼性
- 小型パワーモールド
- 低VF / 低IR
- 低容量
製品概要
背景
さまざまな種類があるダイオードの中でも、高効率なSBDは各アプリケーションでの採用が増加しています。特に、トレンチMOS構造のSBDは、プレーナ構造のSBDに比べてVFが低くなるため、整流用途などで高効率を実現可能です。一方、一般的なトレンチMOS構造の場合、プレーナ構造よりもtrrは悪化するため、スイッチング用途で使う時の電力損失が大きくなることが課題でした。これに対してロームは、独自のトレンチMOS構造を採用し、トレードオフの関係にあるVFとIRを同時に低減した上で、業界最高クラスのtrrも実現したYQシリーズを開発しました。今後もロームは、低耐圧から高耐圧まで、半導体デバイスの品質向上に努めるとともに、特長あるラインアップの強化を進め、アプリケーションのさらなる小型化、低消費電力化に貢献していきます。
概要
「YQシリーズ」は、ロームのダイオードで初めてトレンチMOS構造を採用しています。独自の構造設計により業界最高クラスのtrr（15ns）を実現しているため、同様にトレンチMOS構造を採用する一般品と比較して、trr単体の損失を約37％、スイッチング損失全体を約26％削減しており、アプリケーションの低消費電力化に貢献します。また、トレンチMOS構造の採用により、順方向印加時に損失となるVFと逆方向印加時に損失となるIRの両方をプレーナ構造の従来SBDに比べて改善しています。これにより、整流用途などの順方向で使う際の電力損失とSBDで最も懸念される熱暴走リスクを低減します。これらの特長により、発熱しやすい車載LEDヘッドランプの駆動回路やxEV用DC-DCコンバータなど、高速スイッチングを行うアプリケーションに最適です。
対応アプリケーション例
・車載LEDヘッドランプ ・xEV用DC-DCコンバータ ・産業機器電源 ・照明
関連動画&カタログ
