・下面電極構造の採用・小型低背かつ大容量 標準構造(Jリード)タイプと比較して約1.5倍の大容量を実現・陰極層に導電性高分子を採用・高許容リプル電流・高いノイズ除去性・導電性高分子の絶縁化による高い安全性・DCバイアスによる静電容量の低下がない・圧電特性がないため音鳴りがない
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