低消費 グランドセンス オペアンプ - BU7445SHFV | ローム株式会社 - ROHM Semiconductor
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低消費 グランドセンス オペアンプ - BU7445SHFV
グランドセンス低電圧動作CMOSオペアンプは、位相補償容量内蔵型出力フルスイングのオペアンプ1回路/2回路/4回路を1チップに集積したモノリシックICです。低電圧動作が可能で、消費電流が少なく、入力バイアス電流が非常に小さいことが特長です。入力はグランドセンス、出力はフルスイング可能となっています。
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特性:
グレード
Standard
Power supply(Min.)[V](+5V=5, +/-5V=10)
1.7
Power supply(Max.)[V](+5V=5, +/-5V=10)
5.5
チャンネル数
1
回路電流(Typ.)[mA]
0.04
入力オフセット電圧(Max.)[mV]
6.0
入力バイアス電流(Typ.)[nA]
0.001
スルーレート(Typ.)[V/µS]
0.25
入力電圧範囲 [V]
VSS to VDD-1.2
出力電圧範囲 [V]
VSS+0.1 to VDD-0.1
大振幅電圧利得(Typ.)[dB]
100.0
出力電流(Typ.)[mA]
8.0
CMRR(Typ.)[dB]
60.0
PSRR(Typ.)[dB]
80.0
GBW(Typ.)[MHz]
0.4
動作温度範囲(Min.)[°C]
-40
動作温度範囲(Max.)[°C]
105
特長:
・低電圧動作可能+1.7[V] ～ +5.5[V](単電源)
・入力グランドセンス、出力フルスイング動作可能
・位相補償容量内蔵
・動作温度範囲が広い
-40[℃] ～ +105[℃]
・直流電圧利得が大きい
・消費電流が少ない
・低入力バイアス電流 1[pA](Typ.)
・静電気保護回路内蔵
人体モデル(HBM)±4000[V](Typ.)